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CPD73-CMFBR-6F

更新时间： 2024-04-09 19:01:23

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9页	694K
描述
140mA,60V Bare die,25.000 X 25.000 mils,Rectifier-Bridge

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CPD73-CMFBR-6F 数据手册

PROCESS CPD73

Bridge Rectifier

Monolithic Quad Diode Bridge Chip

PROCESS DETAILS

Die Size

25 x 25 MILS

Die Thickness

6.0 MILS

Bonding Pad Area 1 (+DC)

Bonding Pad Area 2 (AC)

Bonding Pad Area 3 (-DC)

Bonding Pad Area 4 (AC)

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.0 x 3.0 MILS

3.0 x 7.0 MILS

3.0 x 4.0 MILS

3.0 x 7.0 MILS

Al - 12,000Å

Au - 5,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 3 INCH WAFER

10,000

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMFBR-6F

R2 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CPD73-CMFBR-6F-CG	CENTRAL	Rectifier Diode,	获取价格
CPD73-CMFBR-6F-CM	CENTRAL	Rectifier Diode,	获取价格
CPD73-CMFBR-6F-CT	CENTRAL	Rectifier Diode,	获取价格
CPD73-CMFBR-6F-WN	CENTRAL	Rectifier Diode,	获取价格
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CPD74	CENTRAL	Switching Diode Monolithic Isolated Quad Switching Diode Chip	获取价格