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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SSOP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| 长度： | 10.287 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -20 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SSOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.032 mm | 表面贴装： | YES |
| 电信集成电路类型： | MODEM-SUPPORT CIRCUIT | 温度等级： | OTHER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.635 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.493 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CPC5601 | CLARE |
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Auxiliary Programmable Driver IC |
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| CPC5601B | IXYS |
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Interface Circuit, PDSO14, 0.150 INCH, SOIC-16/14 |
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| CPC5601D | CLARE |
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Auxiliary Programmable Driver IC |
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| CPC5601DTR | IXYS |
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Interface Circuit, PDSO14, SOIC-16/14 |
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| CPC5602 | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5602 | LITTELFUSE |
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我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。 第三代工艺在经 |
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| CPC5602_12 | CLARE |
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N-Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5602C | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5602CTR | CLARE |
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N Channel Depletion Mode FET |
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| CPC5603 | CLARE |
获取价格 |
N Channel Depletion Mode FET |
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