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CP792V-CMPT3906 PDF预览

CP792V-CMPT3906

更新时间： 2024-11-18 17:01:23
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
5页 862K
描述
40V,200mA,350mW Bare die,11.024 X 11.024 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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CP792V-CMPT3906 数据手册

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CP792V-CMPT3906  
PNP - General Purpose Transistor Die  
0.2 Amp, 40 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP792V-CMPT3906 is a silicon PNP transistor designed for general purpose applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
11 x 11 MILS  
7.1 MILS  
Die Thickness  
B
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.74 x 3.74 MILS  
3.74 x 3.74 MILS  
Al – 30,000Å  
Au – 18,000Å  
1.5 MILS  
E
4 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
93,826  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5.0  
Continuous Collector Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
200  
mA  
°C  
C
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=30V, V =3.0V  
50  
nA  
CEV  
CE  
EB  
I
V
=30V, V =3.0V  
EB  
50  
nA  
V
BL  
CE  
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
40  
40  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10μA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.25  
0.40  
0.85  
0.95  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
0.65  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=1.0V, I =0.1mA  
60  
80  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=1.0V, I =1.0mA  
FE  
C
=1.0V, I =10mA  
100  
60  
300  
FE  
C
=1.0V, I =50mA  
FE  
C
=1.0V, I =100mA  
30  
FE  
C
f
=20V, I =10mA, f=100MHz  
250  
MHz  
pF  
T
C
C
C
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.5  
10  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
R0 (25-August 2016)  
12345

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