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CP714V-2N5149

更新时间： 2024-10-01 14:29:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 598K
描述
Power Bipolar Transistor,

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CP714V-2N5149 技术参数

生命周期：Active包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：S-XUUC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：60 MHz
Base Number Matches：1

CP714V-2N5149 数据手册

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CP714V-2N5149  
PNP - High Current Transistor Die  
2.0 Amp, 80 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP714V-2N5149 is a silicon PNP transistor designed for high current applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
40.2 x 40.2 MILS  
7.1 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
7.9 x 8.7 MILS  
9.0 x 14 MILS  
Al – 30,000Å  
Au – 9,000Å  
1.8 MILS  
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
10,560  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
100  
80  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
5.5  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
2.0  
A
C
I
5.0  
A
CM  
Continuous Base Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
1.0  
A
B
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=60V  
1.0  
μA  
CES  
CE  
I
V
=4.0V  
1.0  
μA  
V
V
V
V
V
V
V
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =1.0mA  
100  
80  
CES  
CEO  
C
I =100mA  
C
I =1.0mA  
5.5  
EBO  
E
V
V
V
V
V
I =1.0A, I =100mA  
0.46  
0.85  
1.2  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =2.0A, I =200mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =2.0A, I =200mA  
1.5  
C
B
V
=2.0V, I =2.0A  
1.5  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=5.0V, I =50mA  
50  
70  
30  
60  
C
=5.0V, I =1.0A  
200  
120  
FE  
C
=5.0V, I =2.0A  
FE  
C
f
=5.0V, I =200mA, f=20MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
ob  
E
R0 (2-August 2016)  
1234

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与CP714V-2N5149相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CP714V-2N5322 CENTRAL

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 		75V,2A,10W Bare die,40.160 X 40.160 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
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CP716 CENTRAL

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 		Small Signal Transistor PNP - High Voltage Transistor Chip
CP716-2N5401 CENTRAL

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 		150V,600mA,625mW Bare die,19.685 X 19.685 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
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