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CP592-CZT3906-CG

更新时间： 2024-10-01 06:21:51

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CP592-CZT3906-CG 数据手册

PROCESS CP592

Small Signal Transistor

PNP - Amp/Switch Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

12 x 20 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.6 X 3.6 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

47,150

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N3906

CMPT3906

CMST3906

CXT3906

CZT3906

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R2 (1-August 2002)

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