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CP591X-2N2907A-CT20

更新时间： 2025-07-16 19:20:43
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描述
元器件封装:模具;

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CP591X-2N2907A-CT20 数据手册

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CP591X-2N2907A  
PNP - General Purpose Transistor Die  
0.6 Amp, 60 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP591X-2N2907A is a silicon PNP transistor designed for general purpose applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
19.3 x 19.3 MILS  
5.9 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.5 x 4.3 MILS  
3.5 x 4.5 MILS  
Al – 13,000Å  
Au – 9,000Å  
1.75 MILS  
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
45,900  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
60  
60  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
5.0  
Continuous Collector Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
600  
mA  
°C  
C
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
V
=50V  
10  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=30V, V =0.5V  
EB  
50  
nA  
V
CEV  
CE  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
60  
60  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
5.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
75  
100  
100  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CC  
CC  
C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
FE  
C
=10V, I =10mA  
FE  
C
=10V, I =150mA  
300  
FE  
C
=10V, I =500mA  
FE  
C
f
=20V, I =50mA, f=100MHz  
200  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
8.0  
30  
ob  
ib  
E
C
=2.0V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
C
t
t
=30V, I =150mA, I =15mA  
45  
ns  
on  
off  
C
B1  
=6.0V, I =150mA, I =I =15mA  
100  
ns  
C
B1 B2  
R2 (25-April 2017)  
1234

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