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CP388X-BC847C

更新时间： 2023-12-06 19:52:12
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页数 文件大小 规格书
4页 620K
描述
45V,100mA,330mW Bare die,12.990 X 12.990 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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CP388X-BC847C 数据手册

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CP388X-BC547C  
NPN - Low Noise Transistor Die  
www.centralsemi.com  
The CP388X-BC547C is a silicon NPN transistor designed for low noise amplifier applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
13 x 13 MILS  
5.9 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.9 x 3.9 MILS  
5.4 x 5.4 MILS  
Al-Si – 17,000Å  
Au – 9,000Å  
1.8 MILS  
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
102,852  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
50  
50  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
CES  
CEO  
EBO  
V
V
45  
V
6.0  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
100  
mA  
mA  
mA  
mA  
°C  
C
I
200  
CM  
Peak Base Current  
I
200  
BM  
EM  
T , T  
Peak Emitter Current  
I
200  
Operating and Storage Junction Temperature  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=30V  
MIN  
TYP  
MAX  
15  
UNITS  
nA  
I
V
CBO  
CB  
I =10mA, I =0.5mA  
V
V
V
V
V
V
250  
600  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =100mA, I =5.0mA  
C
B
I =10mA, I =0.5mA  
700  
900  
C
B
I =100mA, I =5.0mA  
C
B
V
=5.0V, I =2.0mA  
580  
700  
770  
800  
900  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
C
h
h
=5.0V, I =2.0mA  
420  
125  
C
=5.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=5.0V, I =10mA, f=35MHz  
300  
2.5  
9.0  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
ob  
E
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
ib  
C
NF  
=5.0V, I =0.2mA, R =2.0kΩ,  
C G  
f=1.0kHz, BW=200Hz  
2.0  
10  
dB  
R0 (20-June 2016)  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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