Datasheet > CP323-BST52-CG

CP323-BST52-CG

更新时间： 2024-10-31 05:34:43

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CP323-BST52-CG 技术参数

PROCESS CP323

Small Signal Transistor

NPN - Darlington Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

26.8 x 26.8 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

4.2 x 4.2 MILS

4.3 x 4.3 MILS

Al -

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

15,900

PRINCIPAL DEVICE TYPES

BSS52

BST52

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R1 (1-August 2002)

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP323-BST52-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP323-BST52-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP323-BST52-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP324	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET Transistor N- Channel Enhancement-Mode Transistor Chip
CP324_10	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET Transistor N- Channel Enhancement-Mode Transistor Chip
CP324-2N7002	CENTRAL	获取价格	115mA,60V Bare die,21.650 X 21.650 mils,MOSFET
CP324-2N7002-CG	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP324-2N7002-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP324X-2N7002-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP324X-2N7002-WR	CENTRAL	获取价格	Transistor