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CP319_10 PDF预览

CP319_10

更新时间： 2024-09-17 09:30:07
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2页 388K
描述
Power Transistor NPN - Silicon Power Transistor Chip

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CP319_10 数据手册

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PROCESS CP319  
Power Transistor  
NPN - Silicon Power Transistor Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
Die Size  
87 x 87 MILS  
9.0 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
24 x 15 MILS  
38 x 16 MILS  
Al - 30,000Å  
Ti/Ni/Ag - 11,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
1,462  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CZTA44HC  
TIP47  
TIP48  
TIP50  
BACKSIDE COLLECTOR  
R3 (22-March 2010)  
www.centralsemi.com  
12

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