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CP319

更新时间： 2024-09-17 03:26:23

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描述
Power Transistor NPN - Silicon Power Transistor Chip

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CP319 数据手册

PROCESS CP319

Power Transistor

Central

Semiconductor Corp.

NPN - Silicon Power Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

87 x 87 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

24 x 15 MILS

38 x 16 MILS

Al - 30,000Å

Ti/Ni/Ag - 11,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

1,460

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CZTA44HC

TIP47

TIP48

TIP50

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R2 (21-September 2003)

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