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CP317-2N2857-CT

更新时间： 2024-09-18 10:51:39

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Transistor

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CP317-2N2857-CT 数据手册

PROCESS CP317

Small Signal Transistor

NPN - RF Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

14.5 x 14.5 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

2.4 x 2.2 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

53,730

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPT918

2N918

2N2857

2N5179

2N5770

BFY90

PN3563

PN3564

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R2 (1-August 2002)

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CP317-2N918	CENTRAL	获取价格	15V,50mA,200mW Bare die,14.565 X 14.565 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
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