5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CP307V-2N5308
CP307V-2N5308 PDF预览

CP307V-2N5308

更新时间： 2023-12-06 20:08:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
5页 624K
描述
300mA,40V Bare die,27.170 X 27.170 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

阅读下载

获取价格

CP307V-2N5308 数据手册

 浏览型号CP307V-2N5308的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CP307V-2N5308的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CP307V-2N5308的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CP307V-2N5308的Datasheet PDF文件第5页 
CP307V-2N5308  
NPN - Darlington Transistor Die  
0.3 Amp, 40 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP307V-2N5308 die is a silicon NPN Darlington power transistor designed for high gain  
amplifier applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
27.2 x 27.2 MILS  
7.1 MILS  
B
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
5.3 x 3.8 MILS  
5.3 x 6.5 MILS  
Al – 30,000Å  
Au – 18,000Å  
1.97 mils  
E
4 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
15,165  
BACKSIDE COLLECTOR  
R1  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
40  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
12  
V
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
300  
mA  
mA  
mA  
°C  
C
I
500  
CM  
I
Continuous Base Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
100  
B
T , T  
stg  
-65 to +150  
J
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=40V  
100  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
I
V
=12V  
100  
nA  
V
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
40  
40  
12  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
I =200mA, I =200µA  
1.4  
1.6  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =200mA, I =200µA  
V
C
B
V
=5.0V, I =200mA  
1.5  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =2.0mA  
7.0K  
20K  
70K  
C
=5.0V, I =100mA  
FE  
C
=5.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
7.0K  
15.6  
fe  
C
|h |  
fe  
=5.0V, I =2.0mA, f=10MHz  
dB  
kW  
MHz  
pF  
C
h
=5.0V, I =2.0mA, f=1.0kHz  
650  
12  
ie  
C
f
=5.0V, I =2.0mA, f=10MHz  
60  
T
C
C
C
=10V, f=1.0MHz  
=0.5V, f=1.0MHz  
10  
cb  
eb  
pF  
R0 (29-September 2016)  
12345

下载PDF

与CP307V-2N5308相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CP307V-MPSA13 CENTRAL 500mA,30V Bare die,27.170 X 27.170 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

获取价格
CP308 PANJIT SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE-P.C. MTG 2A, HEAT-SINK MTG 3A(VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRE

获取价格
CP308 TRSYS SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE-P.C. MTG 2A, HEAT-SINK MTG 3A

获取价格
CP3082 OKAYA Trans Voltage Suppressor Diode, 66.4V V(RWM), Unidirectional

获取价格
CP309 CENTRAL Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip

获取价格
CP309_10 CENTRAL Power Transistor NPN - Low Saturation Transistor Chip

获取价格

与CP307V-2N5308相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证