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CP307-2N5308

更新时间： 2024-10-29 14:54:23

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描述
300mA,40V Bare die,27.170 X 27.170 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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CP307-2N5308 数据手册

PROCESS CP307

Small Signal Transistor

NPN - Silicon Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

27 x 27 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

5.3 x 3.8 MILS

5.3 x 6.5 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

15,165

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N6426

2N6427

CMPT6427

CMPTA13

CMPTA14

CXTA14

CZTA14

MPSA13

MPSA14

MPSA27

BACKSIDE COLLECTOR

R6 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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