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CP305-BC337-40

更新时间： 2024-11-15 17:00:35

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9页	771K
描述
45V,800mA,625mW Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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CP305-BC337-40 数据手册

PROCESS CP305

Small Signal Transistor

NPN - High Current Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

31 x 31 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

5.9 x 11.8 MILS

6.5 x 13.8 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

11,212

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N3019

CMPT3019

CXT3019

CZT3019

R3 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CP305-D40D11	CENTRAL	获取价格	75V,1A,6.25W Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP305-MJE182	CENTRAL	获取价格	80V,3A,1.5W Bare die,31.100 X 31.100 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)