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CP283-MJE13003

更新时间： 2024-10-15 18:09:23
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
4页 395K
描述
400V,1.5A,40W Bare die,67.953 X 67.953 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)

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CP283-MJE13003 技术参数

生命周期：Active包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：S-XUUC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHz

CP283-MJE13003 数据手册

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CP283-MJE13003  
NPN - Power Transistor Die  
1.5 Amp, 400 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP283-MJE13003 is a silicon NPN power transistor designed for high speed power  
switching applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
68 x 68 MILS  
9.5 MILS  
E
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Wafer Diameter  
18 x 11 MILS  
18 x 12 MILS  
Al – 45,000Å  
Ti/Ni/Ag – 3,000Å/10,000Å/10,000Å  
5 INCHES  
B
Gross Die Per Wafer  
3,675  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
400  
700  
CEO  
V
V
V
CEV  
EBO  
V
9.0  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
1.5  
A
C
I
I
I
3.0  
A
CM  
I
Continuous Base Current  
Peak Base Current  
0.75  
1.5  
A
B
A
BM  
I
Continuous Emitter Current  
Peak Emitter Current  
2.25  
4.5  
A
E
A
EM  
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=700V, V  
=1.5V  
1.0  
mA  
CEV  
CE  
BE(OFF)  
I
V
=9.0V  
1.0  
mA  
V
EBO  
EB  
BV  
I =10mA  
400  
CEO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
V
V
V
V
V
I =0.5A, I =0.1A  
0.5  
1.0  
3.0  
1.0  
1.2  
40  
V
C
B
I =1.0A, I =0.25A  
V
C
B
I =1.5A, I =0.5A  
V
C
B
I =0.5A, I =0.1A  
V
C
B
I =1.0A, I =0.25A  
V
C
B
h
h
V
=2.0V, I =0.5A  
8.0  
5.0  
4.0  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
V
V
V
=2.0V, I =1.0A  
25  
FE  
C
f
=10V, I =100mA, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=100kHz  
40  
ob  
E
R0 (22-February 2017)  
1234

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