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CP229-2N5109

更新时间： 2024-11-06 14:56:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 594K
描述
20V,400mA,1W Bare die,21.651 X 21.651 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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CP229-2N5109 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.4 A基于收集器的最大容量：3.5 pF
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：S-XUUC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：NPN最小功率增益 (Gp)：11 dB
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1200 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

CP229-2N5109 数据手册

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CP229-2N5109  
NPN - RF Transistor Die  
0.4 Amp, 20 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP229-2N5109 die is a silicon NPN RF transistor designed for high frequency amplifier  
applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
21.7 x 21.7 MILS  
8.7 MILS  
Die Thickness  
B
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.2 MILS DIAMETER  
3.4 x 3.4 MILS  
Al – 10,000Å  
Au – 10,000Å  
2.5 mils  
E
4 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
21,000  
BACKSIDE COLLECTOR  
R1  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
V
40  
20  
V
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
V
V
Emitter-Base Voltage  
3.0  
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
I
400  
mA  
mA  
°C  
C
I
400  
B
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=35V, V =1.5V  
5.0  
mA  
CEV  
CEO  
EBO  
CE  
CE  
EB  
BE  
=15V  
20  
μA  
μA  
V
=3.0V  
100  
BV  
BV  
BV  
I =0.1mA  
40  
40  
20  
CBO  
CER  
CEO  
CE(SAT)  
FE  
C
I =5.0mA, R =10Ω  
V
C
BE  
I =5.0mA  
V
C
V
I =100mA, I =10mA  
0.5  
V
C
B
h
h
V
=15V, I =50mA  
40  
5.0  
210  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
=5.0V, I =360mA  
FE  
C
f
=15V, I =50mA, f=200MHz  
1200  
MHz  
pF  
T
C
C
=15V, I =0, f=1.0MHz  
3.5  
ob  
NF  
E
=15V, I =10mA, f=200MHz  
3.0  
dB  
C
G
=15V, I =50mA, f=200MHz  
11  
dB  
PE  
C
R0 (5-May 2016)  
12345678

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