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CP188V-BCX70K

更新时间： 2024-04-09 18:58:39

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9页	613K
描述
45V,100mA,350mW Bare die,14.568 X 14.568 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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CP188V-BCX70K 数据手册

PROCESS CP188V

Small Signal Transistor

NPN - Low Noise Amplifier Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

14.6 x 14.6 MILS

7.1 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.9 x 3.9 MILS

5.5 x 5.5 MILS

Al - 30,000Å

Au-As - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

54,599

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPT2484

CMPT5088

CMPT5089

CMPT6428

CMPT6429

2N2484

BACKSIDE COLLECTOR

R0 (31-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CP189-CJD41C	CENTRAL	100V,6A,20W Bare die,79.800 X 79.800 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)	获取价格
CP-18-D-2-S-T	SAMTEC	Interconnection Device	获取价格
CP-18-D-2-TS1-ST2	SAMTEC	Interconnection Device	获取价格
CP-18-D-2-TS1-ST4	SAMTEC	Interconnection Device	获取价格
CP-18-D-2-TS1-T	SAMTEC	Interconnection Device	获取价格
CP-18-D-2-TS1-TP	SAMTEC	Interconnection Device	获取价格