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CP188-CMPT5089

更新时间： 2024-04-09 18:57:58

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描述
25V,50mA,350mW Bare die,14.568 X 14.568 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)

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PROCESS CP188

Small Signal Transistor

NPN - Low Noise Amplifier Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

14.6 x 14.6 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.9 x 3.9 MILS

5.5 x 5.5 MILS

Al - 30,000Å

Au-As - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

54,599

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPT2484

CMPT5088

CMPT5089

CMPT6428

CMPT6429

2N2484

BACKSIDE COLLECTOR

R5 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

12 3 4 5 6 7...11

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CP188-CMPT6428-CM	CENTRAL	Transistor	获取价格
CP188-CMPT6428-CT	CENTRAL	Transistor	获取价格
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