Datasheet > CP108-CXSH-4-WN

CP108-CXSH-4-WN

更新时间： 2024-11-29 14:48:35

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		/
页数	文件大小	规格书
2页	214K
描述
Rectifier Diode,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CP108-CXSH-4-WN 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

CP108-CXSH-4-WN 数据手册

PROCESS CP108

Schottky Rectifier

Central

Semiconductor Corp.

Schottky Barrier Rectifier Chip - 2.0 Amp

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

52 X 52 MILS

9 MILS

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

47 X 47 MILS

Al - 20,000Å

Au - 10,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

5,110

PRINCIPAL DEVICE TYPES

1N5817

1N5818

1N5819

CXSH-4

CZSH-4

BACKSIDE CATHODE

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R8 (9 -September 2003)

中文翻译

下载PDF

与CP108-CXSH-4-WN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP108-CXSH-4-WS	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CP108-CZSH-4-CT	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CP10944	CREE	获取价格	RGBX series
CP10944	LEDIL	获取价格	~30Â° medium beam optimized for CREE MC-E RGB
CP10944_18	LEDIL	获取价格	~30Â° medium beam optimized for CREE MC-E RGB
CP10945	LEDIL	获取价格	~50Â° 25Â° oval beam optimized for CREE MC-E
CP10945	CREE	获取价格	RGBX series
CP10945_18	LEDIL	获取价格	~50Â° 25Â° oval beam optimized for CREE MC-E
CP10C60	APOLLOELECTRON	获取价格	Standard Gate Silicon Controlled Rectifiers
CP10H100S	CITC	获取价格	10A Surface Mount Trench Schottky Rectifier