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CP108-1N5819-WN

更新时间： 2024-10-01 15:29:47

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Rectifier Diode,

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CP108-1N5819-WN 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

CP108-1N5819-WN 数据手册

PROCESS CP108

Schottky Rectifier

Central

Semiconductor Corp.

Schottky Barrier Rectifier Chip - 2.0 Amp

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

52 X 52 MILS

9 MILS

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

47 X 47 MILS

Al - 20,000Å

Au - 10,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

5,110

PRINCIPAL DEVICE TYPES

1N5817

1N5818

1N5819

CXSH-4

CZSH-4

BACKSIDE CATHODE

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R8 (9 -September 2003)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CP10841.5-A	CERAMATE	获取价格	5A Dropout Linear Regulator
CP10841.5-C2	CERAMATE	获取价格	5A Dropout Linear Regulator
CP10841.5-C2A	CERAMATE	获取价格	Regulator
CP10841.5VA	CERAMATE	获取价格	5A Dropout Linear Regulator
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