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CP107

更新时间： 2024-02-19 11:22:32

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 130V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220AB

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CP107 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	10 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

CP107 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR

CP107

(9AW)

TO-220

Non- Iso

MARKING: CP

107

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)

DESCRIPTION

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

VALUE

140

130

5.0

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

Peak t=30ms

ICP

Base Current

1.0

Collector Power Dissipation @ Tc=25 deg C PC

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Tstg

150

-55 to +150

deg C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

ICBO

IEBO

VCEO

hFE

TEST CONDITION

VCB=140V, IE=0

VEB=5V, IC=0

IC=30mA, IB=0

IC=6A, VCE=4V

IC=10A, VCE=4V

IC=6A, IB=6mA

MIN

130

2.0

1.0

TYP MAX

UNIT

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

Collector Emitter Voltage

DC Current Gain

100

3.0

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

Dynamic Characteristics

VCE(Sat)

VBE(Sat)

2.5

3.0

Transition Frequency

Collector Output Capacitance

Cob

VCE=12V, IC=1A,

VCB=10V, IE=0

f=1MHz

160

MHz

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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