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CP100B PDF预览

CP100B

更新时间： 2024-02-04 07:19:43
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | TO-237

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CP100B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Contact Manufacturer
零件包装代码：TO-237包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.83最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-237AA
JESD-30 代码：O-PBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
VCEsat-Max：0.6 VBase Number Matches：1

CP100B 数据手册

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IS/ISO 9002  
Lic# QSC/L- 000019.2  
Continental Device India Limited  
An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer  
PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR  
CP100  
CN100  
TO-237  
Plastic Package  
CN100 And CP100 Are Medium Power Transitors Suitable For a Wide Range of  
Medium Voltage and Current Applications.  
Complementary CN100  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25ºC unless specified otherwise )  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
A
mW  
mW/ºC  
ºC  
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Power Dissipation @Ta=25ºC  
Derate Above 25ºC  
60  
50  
7
1
PTA  
800  
6
-55 to +150  
Tj, Tstg  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise )  
VALUE  
MIN  
50  
60  
7
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
MAX  
UNIT  
V
V
V
nΑ  
nΑ  
VCEO  
*
IC=10mA, IB=0  
IC=100µA, IE=0  
IE=100µA, IC=0  
VCB=40V, IE=0  
VEB=5V, IE=0  
Collector Emitter Breakdown Voltage  
Collector -Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Leakage Current  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
50  
25  
Emitter Leakage Current  
hFE  
VCE(sat)  
*
IC=150mA,VCE=1V  
IC=150mA,IB=15mA  
DC Current Gain  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
50  
280  
0.6  
0.9  
*
V
V
VBE(on) IC=150mA,VCE= 1V  
VALUE  
TYP  
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
MIN  
MAX  
UNIT  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Transition Frequency  
fT  
VCE=10V, IC=50mA,  
f=20MHz  
80  
*Pulse Condition: Pulse Width <300µs, Duty Cycle <2%  
CLASSIFICATION  
hFE  
A
B
50-120  
100-200  
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
Page 1 of 3  
123

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