2N6253

更新时间： 2024-02-25 10:28:37

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COMSET		晶体晶体管高功率电源
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描述
HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTORS

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2N6253 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

2N6253 数据手册

2N6253 - 2N6254 - 2N6371

HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTORS

The 2N6253, 2N6254, and 2N6371 are silicon NPN transistors intended for a wide

variety of high-power applications. The construction of these devices renders them

highly resistant to second breakdown over a wide range of operating conditions.

These devices differ in maximum ratings for voltage and power dissipation. All are

supplied in JEDEC TO-3 hermetic steel packages.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

2N6253

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2N6371

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2N6371

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2N6254

2N6371

100

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage (*)

V_CEO(SUS)

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

V_CER(SUS)

V_CEV(SUS)

V_EBO

R_BE=100Ω

Collector-Emitter Voltage

V_BE=-1.5V

Emitter-Base Voltage

2N6253

2N6254

2N6371

2N6253

2N6254

2N6371

Collector Current

Base Current

I_C

I_B

COMSET SEMICONDUCTORS

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