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CNZ1002

更新时间： 2024-02-04 16:12:40

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松下 - PANASONIC		/
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Photo Interrupter

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CNZ1002 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	4 X 3.80 MM, 5.10 MM HEIGHT, ULTRA MINIATURE, PLASTIC, PISMR104-001, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	HIGH RELIABILITY	Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	35 V
配置：	SINGLE	最大暗电源：	100 nA
最大正向电流：	0.05 A	间隙大小：	0.9 mm
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	1
最大通态电流：	0.00048 A	最大通态电压：	35 V
标称通态集电极电流：	0.065 mA	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH
输出电路类型：	Transistor	标称槽宽：	0.9 mm
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

CNZ1002 数据手册

Transmissive Photosensors (Photo Interrupters)

CNZ1002

Photo Interrupter

Unit : mm

Slit width

(0.5)

For contactless SW, object detection

Overview

+0.1

–0.2

3.8

1.45 0.9 1.45

Device

center

SEC. A-A'

4.0

CNZ1002 is an ultraminiature, highly reliable transmissive

photosensor in which a high efficiency GaAs infrared light emitting

diode chip and a high sensitivity Si phototransistor chip are integrated

in a double molded resin package.

(C0.5)

Gate the rest

0.3 max.

(C0.3)

+0.1

ø1.5

–0

2-0.25

*2.54

2-0.4

Features

*2.54

Ultraminiature : 4.0 × 3.8 mm (height : 5.1 mm)

Fast response : t_r, t_f= 35 µs (typ.)

Highly precise position detection : 0.25 mm

Gap width : 0.9 mm

Pin connection

(Note)

1. Tolerance unless otherwise specified is ±0.2

2. ( ) Dimension is reference

3. * is dimension at the root of leads

4. Burrs should be less than 0.15mm

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol Ratings Unit

^*1Input power derating ratio is

1.0mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.

^*2Output power derating ratio is

Reverse voltage (DC)

Forward current (DC)

Power dissipation

Collector current

V_R

Input (Light

I_F

emitting diode)

1.0mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.

^*3Soldering time is within 5 seconds.

P_D

I_C

Collector to emitter voltage V_CEO

Emitter to collector voltage V_ECO

Output (Photo

transistor)

Collector power dissipation P_C

more than 1mm

Operating ambient temperature

T_opr–25 to +85 ˚C

Temperature Storage temperature

Soldering temperature

T_stg– 40 to +100 ˚C

Soldering bath

T_sol

260

˚C

Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max Unit

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

V_FI_F= 20mA

I_RV_R= 3V

1.2

1.4

Input

characteristics

µA

Output characteristics Collector cutoff current

I_CEOV_CE= 20V

100

480

0.4

Collector current

I_CV_CE= 5V, I_F= 1.5mA

Transfer

characteristics

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)I_F= 3mA, I_C= 30µA

Response time

t_r, t_f^*V_CC= 5V, I_C= 0.1mA, R_L= 1000Ω

µs

^*Switching time measurement circuit

Sig.IN

V_CC

t_d: Delay time

(Input pulse)

t_r: Rise time (Time required for the collector current to increase

from 10% to 90% of its final value)

90%

10%

Sig.OUT

(Output pulse)

t_d

t_f: Fall time (Time required for the collector current to decrease

from 90% to 10% of its initial value)

50Ω

R_L

t_r

t_f

12 3

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