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CMT812X

更新时间： 2024-11-10 17:01:51

品牌	Logo	应用领域
华普微 - HOPERF		栅
页数	文件大小	规格书
28页	1578K
描述
CMT812X为高性能双通道数字隔离器，该产品采用二氧化硅(SiO2)绝缘栅，支持高达5kVrms隔离电压。该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯，以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本地接地

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CMT812X 数据手册

CMT8120X-21X-22X

CMT812X高速双通道数字隔离器

1 特性

3 描述



安全相关认证

CMT812X 为高性能双通道数字隔离器，该产品

• DIN VDE V 0884-11: 2017-01

采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅，支持高达 5 kVrms 隔

离电压。

• 符合 UL 1577 组件认证

• CSA 认证，符合 IEC 60950-1, IEC 62368-1,

该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯，以防

止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本地接地或

者干扰及损坏敏感电路。

IEC 61010-1 and IEC 60601-1 终端设备标

准

• 符合 GB4943.1-2022 的 CQC 认证

• 符合 EN 60950-1, EN 62368-1 和 EN

61010-1 标准的 TUV 认证。

CMT812X 具有两路通道。CMT812X1 默认输出

高电平而 CMT812X0 默认输出低电平，详见“功能模

式”相关章节描述。.



增强电磁兼容性(EMC)

• 系统级 ESD、EFT、浪涌抗扰性

• ±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保

护

该器件能够以较低的功耗实现高电磁抗扰度和低

辐射。CMT812X 采用创新性芯片设计和布局，显著

增强了器件电磁兼容性，可满足系统级 ESD、EFT、

浪涌和辐射方面的合规要求。

• 低辐射



数据率：DC 至 150 Mbps

宽电源电压范围：2.5 V 至 5.5 V

工作环境温度范围：-40°C to 125°C

CMT812X 系列芯片同时支持 SOIC-16 宽体，

SOW8L 宽体及 SOIC-8 窄体封装。

稳健可靠的隔离栅：

• 可实现 40 年以上的预期使用寿命

• 高达 5 kV_RMS隔离额定值

• 高达 5.3 kV 浪涌能力

芯片订购信息

芯片型号

封装

尺寸(mm x mm)

5.0x3.9

• ±200 kV/μs 典型 CMTI

NB(N) SOIC-8 窄体



默认输出高电平和低电平选项

低功耗，1 Mbps 时每通道的电流典型值为

1.5mA

5.85 x 7.5

10.4 x 7.5

CMT812X WB(N) SOW8L 宽体

WB(W) SOIC-16 宽体

更多订购信息详见第 14 章节。



低传播延迟：典型值为 9 ns（由 5V 电源供电）

SOIC -16 封装（宽体），WB(N) SOW8L(宽体)

与 SOIC - 8（窄体)

简化原理图

2 应用

Side 1 (TX)

Side 2 (RX)



工业自动化

新能源汽车

光伏逆变器

电机控制

INx

OUTx

Demod

Mod

Input

Buffer

Output

Buffer

GND1

GND2

隔离式 SPI

通用多通道隔离

Rev 0.4 | 1/28

www.hoperf.cn

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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