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CMS09 PDF预览

CMS09

更新时间： 2024-11-09 23:14:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 电池开关便携式便携式设备
页数 文件大小 规格书
5页 127K
描述
Switching Mode Power Supply Applications Portable Equipment Battery Applications

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CMS09 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：M-FLAT, 3-4E1A, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.69配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

CMS09 数据手册

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CMS09  
TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type  
CMS09  
Switching Mode Power Supply Applications  
Portable Equipment Battery Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Forward voltage: V  
= 0.45 V (max)  
Average forward current: I = 1.0 A  
FM  
F (AV)  
Repetitive peak reverse voltage: V  
= 30 V  
RRM  
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package  
“M−FLATTM” (Toshiba package name)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
30  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
1.0  
Average forward current  
(Note)  
I
A
F (AV)  
(Ta = 51°C)  
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive)  
I
25 (50 Hz)  
A
FSM  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
-40~150  
-40~150  
°C  
°C  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
stg  
Note: Device mounted on a glass-epoxy board  
TOSHIBA  
3-4E1A  
(board size: 50 mm ´ 50 mm, soldering land: 6 mm ´ 6 mm)  
Weight: 0.023 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 0.1 A  
= 0.5 A  
= 1.0 A  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
0.32  
0.37  
0.40  
1.5  
¾
¾
FM (1)  
FM (2)  
FM (3)  
FM  
FM  
FM  
Peak forward voltage  
0.45  
¾
I
V
V
V
= 5 V  
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
Repetitive peak reverse current  
Junction capacitance  
mA  
I
= 30 V  
15.0  
70  
500  
¾
C
j
= 10 V, f = 1.0 MHz  
R
pF  
Device mounted on a ceramic board  
¾
¾
60  
(soldering land: 2 mm ´ 2 mm)  
Thermal resistance  
Thermal resistance  
R
°C/W  
°C/W  
th (j-a)  
Device mounted on a glass-epoxy  
board  
¾
¾
¾
¾
135  
16  
(soldering land: 6 mm ´ 6 mm)  
R
¾
th (j-ℓ)  
1
2003-02-17  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMS09(TE12L) TOSHIBA

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 		DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, M-FLAT-2, Signal Diode
CMS09(TE12R) TOSHIBA

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 		DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, M-FLAT-2, Signal Diode
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CMS10I40A TOSHIBA

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 		40 V/1.0 A Schottky Barrier Diode, M-FLAT
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获取价格

 		TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type
CMS11(T2L,TEMQ) TOSHIBA

获取价格

 		2A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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