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CMS09(TE12L)

更新时间： 2024-02-11 07:38:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 165K
描述
DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, M-FLAT-2, Signal Diode

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CMS09(TE12L) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：M-FLAT-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.73配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 VJESD-30 代码：R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CMS09(TE12L) 数据手册

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CMS09  
TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type  
CMS09  
Switching Mode Power Supply Applications  
Unit: mm  
Portable Equipment Battery Applications  
•
•
•
•
Forward voltage: V  
Average forward current: I  
Repetitive peak reverse voltage: V  
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package  
= 0.45 V (ｍax)  
FM  
= 1.0 A  
F (AV)  
= 30 V  
RRM  
“M−FLATTM” (Toshiba package name)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
30  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
1.0  
(Ta = 51°C)  
Average forward current  
(Note 1)  
I
A
F (AV)  
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive)  
I
25 (50 Hz)  
A
FSM  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
−40~150  
−40~150  
°C  
°C  
j
JEDEC  
JEITA  
―
―
T
stg  
Note 1: Device mounted on a glass-epoxy board  
TOSHIBA  
3-4E1A  
(board size: 50 mm × 50 mm, soldering land: 6 mm × 6 mm)  
Weight: 0.023 g (typ.)  
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 0.1 A  
= 0.5 A  
= 1.0 A  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.32  
0.37  
0.40  
1.5  
⎯
⎯
FM (1)  
FM (2)  
FM (3)  
FM  
FM  
FM  
Peak forward voltage  
0.45  
⎯
I
V
V
V
= 5 V  
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
Repetitive peak reverse current  
Junction capacitance  
μA  
I
= 30 V  
15.0  
70  
500  
⎯
C
= 10 V, f = 1.0 MHz  
R
pF  
j
Device mounted on a ceramic board  
(soldering land: 2 mm × 2 mm)  
⎯
⎯
60  
Thermal resistance  
Thermal resistance  
R
°C/W  
°C/W  
th (j-a)  
Device mounted on a glass-epoxy  
board  
⎯
⎯
⎯
⎯
135  
16  
(soldering land: 6 mm × 6 mm)  
R
⎯
th (j-ℓ)  
Start of commercial production  
2000-07  
1
2013-11-01  
12345

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