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CMS03

更新时间： 2024-09-20 03:26:07
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东芝 - TOSHIBA 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 129K
描述
TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type

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CMS03 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：3-4E1A, M-FLAT-2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.49Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.45 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：40 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CMS03 数据手册

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CMS03  
TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier Schottky Barrier Type  
CMS03  
Switching Mode Power Supply Applications  
Portable Equipment Battery Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Forward voltage: V  
= 0.45 V (max)  
Average forward current: I = 3.0 A  
FM  
F (AV)  
Repetitive peak reverse voltage: V  
= 30 V  
RRM  
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package  
“M−FLATTM” (Toshiba package name)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
V
30  
RRM  
I
3.0  
F (AV)  
(Note) (Ta = 28.4°C)  
Average forward current  
A
3.0  
I
F (AV)  
(Tℓ = 117.6°C)  
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive)  
I
40 (50 Hz)  
A
FSM  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Junction temperature  
Storage temperature  
T
-40~150  
-40~150  
°C  
°C  
j
T
stg  
TOSHIBA  
3-4E1A  
Note: Device mounted on a ceramic board  
Weight: 0.023 g (typ.)  
(board size: 50 mm ´ 50 mm, soldering land: 2 mm ´ 2 mm)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 0.5 A  
= 1.0 A  
= 3.0 A  
¾
¾
¾
¾
¾
¾
0.35  
0.37  
0.42  
3.0  
¾
¾
FM (1)  
FM (2)  
FM (3)  
FM  
FM  
FM  
Peak forward voltage  
0.45  
¾
I
V
V
V
= 5 V  
RRM  
RRM  
RRM  
RRM  
Repetitive peak reverse current  
Junction capacitance  
mA  
I
= 30 V  
30.0  
190  
500  
¾
C
j
= 10 V, f = 1.0 MHz  
R
pF  
Device mounted on a ceramic board  
¾
¾
60  
(soldering land: 2 mm ´ 2 mm)  
R
th (j-a)  
Device mounted on a glass-epoxy  
board  
Thermal resistance  
°C/W  
¾
¾
¾
¾
135  
16  
(soldering land: 6 mm ´ 6 mm)  
R
¾
th (j-ℓ)  
1
2003-02-17  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMS03(TE12L,Q) TOSHIBA

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 		Diode Schottky 30V 3A 2-Pin M-FLAT T/R
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