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CMPT7820TR13PBFREE PDF预览

CMPT7820TR13PBFREE

更新时间： 2024-09-22 09:28:11
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 325K
描述
Transistor,

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CMPT7820TR13PBFREE 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

CMPT7820TR13PBFREE 数据手册

 浏览型号CMPT7820TR13PBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMPT7820  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
VERY LOW V  
PNP SILICON TRANSISTOR  
)
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPT7820 is  
a very low V PNP Transistor, designed for  
applications where size and efficiency are prime  
requirements. Packaged in an industry standard  
SOT-23, this device brings updated electrical  
specifications and characteristics suitable for the most  
demanding designs.  
CE(SAT  
CE(SAT)  
MARKING CODE: 78C  
SOT-23 CASE  
APPLICATIONS:  
FEATURES:  
Device is Halogen Free by design  
•
• DC/DC Converters  
Voltage Clamping  
Protection Circuits  
Battery powered Cell Phones, Pagers,  
Digital Cameras, PDAs, Laptops, etc.  
• High Current (I =1.0A)  
•
•
•
C
V
=0.34V MAX @  
I =1.0A  
C
•
•
•
CE(SAT)  
SOT-23 surface mount package  
Complementary NPN device CMPT3820  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
A
A
V
V
V
80  
60  
5.0  
1.0  
2.0  
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
A
CM  
I
P
300  
350  
-65 to +150  
357  
mA  
mW  
°C  
B
D
T , T  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=60V  
=5.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
80  
60  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =10mA  
C
I =100µA  
E
V
V
V
V
V
I =100mA, I =1.0mA  
I =500mA, I =50mA  
0.175  
0.18  
0.34  
1.1  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
C
C
B
I =1.0A, I =100mA  
B
I =1.0A, I =50mA  
C
B
V
=5.0V, I =1.0A  
0.9  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
=5.0V, I =500mA  
200  
150  
100  
150  
C
C
FE  
FE  
=5.0V, I =1.0A  
C
f
=10V, I =50mA  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
15  
ob  
E
R1 (1-February 2010)  
12

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