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CMPT3019

更新时间： 2024-09-20 22:40:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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CMPT3019 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.28最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz

CMPT3019 数据手册

 浏览型号CMPT3019的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
CMPT3019  
NPN SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMPT3019 type is an NPN silicon transistor  
manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for very high current, general  
purpose amplifier applications.  
Marking Code is C3A.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Current (Peak)  
Power Dissipation  
V
V
V
120  
80  
7.0  
500  
1.0  
350  
V
V
V
A
A
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
I
CM  
P
D
mW  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T T  
-65 to +150  
357  
C
J, stg  
o
Θ
C/W  
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
10  
10  
UNITS  
I
I
V
V
=90V  
=5.0V  
nA  
nA  
V
V
V
V
V
V
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
h
h
h
h
f
C
I =100µA  
120  
80  
7.0  
C
I =30mA  
C
I =100µA  
E
I =150mA, I =15mA  
0.2  
0.5  
1.1  
C
B
B
B
C
I =500mA, I =50mA  
C
I =150mA, I =15mA  
C
V
=10V, I =0.1mA  
50  
90  
100  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CE  
V
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =150mA  
300  
C
=10V, I =500mA  
C
=10V, I =50mA, f=1.0MHz 100  
MHz  
pF  
pF  
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
12  
60  
4.0  
C
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
ib  
C
NF  
=10V, I =100mA, R =1kΩ, f=1.0kHz  
dB  
C
S
166  
12

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