CMPD5001SBK

更新时间： 2024-02-15 03:16:47

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描述
Rectifier Diode, 2 Element, 0.4A, Silicon,

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CMPD5001SBK 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.08	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.25 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	6 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.4 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向电流：	0.1 µA
最大反向恢复时间：	0.06 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

CMPD5001SBK 数据手册

CMPD5001

CMPD5001S

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT

HIGH CURRENT

INDUCTIVE LOAD

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD5001 series

types are silicon switching diodes manufactured by

the epitaxial planar process, designed for switching

applications requiring extremely high current capability.

SILICON SWITCHING DIODE

SOT-23 CASE

The following configurations are available:

CMPD5001

CMPD5001S

SINGLE

DUAL, IN SERIES

MARKING CODE: DA2

MARKING CODE: D49

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Continuous Reverse Voltage

120

400

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Repetitive Reverse Current

Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs

Peak Forward Surge Current, tp=1.0s

Power Dissipation

800

FRM

RRM

600

6.0

FSM

1.5

350

°C

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

-65 to +150

357

stg

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL TEST CONDITIONS

MIN

MAX

100

325

0.75

0.84

0.90

1.00

1.25

UNITS

μA

V =90V

V =90V, T =150°C

I =50μA

120

I =10mA

I =50mA

I =100mA

I =200mA

I =400mA

V =0, f=1.0MHz

I =I =30mA, I =3.0mA, R =100Ω

I =I =10mA, I =3.0mA, R =100Ω

R4 (25-January 2010)

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