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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波放大器> CMM1200-BD-000V
CMM1200-BD-000V PDF预览

CMM1200-BD-000V

更新时间： 2024-12-01 03:26:03
品牌 Logo 应用领域
MIMIX 射频和微波射频放大器微波放大器
页数 文件大小 规格书
5页 452K
描述
2.0-6.0 GHz GaAs MMIC Low Noise Amplifier

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CMM1200-BD-000V 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84构造：COMPONENT
增益：16 dB最大输入功率 (CW)：10 dBm
JESD-609代码：e3最大工作频率：6000 MHz
最小工作频率：2000 MHz最低工作温度：-40 °C
射频/微波设备类型：WIDE BAND LOW POWER端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

CMM1200-BD-000V 数据手册

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2.0-6.0 GHz GaAs MMIC  
Low Noise Amplifier  
August 2007 - Rev 05-Aug-07  
CMM1200-BD  
Features  
Chip Diagram  
Small Size: 1.60 x 1.55 x 0.076 mm  
Integrated On-Chip Drain Bias Coil  
Integrated On-Chip DC Blocking  
Single Bias Operation  
Directly Cascadable – Fully Matched, Novel  
Feedback & Distributed AmplifierDesign  
P1dB: 15.5 dBm @ 6 GHz,Typ.  
High LinearGain: 17.5 dB Typ.  
Noise Figure: 3.3 dB Typ. @ 6 GHz  
pHEMTTechnology  
Silicon Nitride Passivation  
Specifications (TA= 25°C,Vdd = 5V)1  
Parameters  
Units  
GHz  
dB  
Min  
2.0  
16.0  
Typ  
Max  
Frequency Range  
Linear Gain  
6.0  
17.5  
15.5  
Gain Variation (over operating frequency)  
Power Output (@1 dB Gain Compression)  
P1dB Variation (over operating frequency)  
Saturated Output Power  
Third Order Intercept Point (@ 6 GHz)  
Second Order Intercept Point (@ 6 GHz)  
Noise Figure (@6 GHz)  
Input Return Loss  
Output Return Loss  
Current  
dB  
2.0  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
dB  
dB  
dB  
mA  
14.0  
19.0  
1.0  
23.0  
25.5  
41.0  
3.3  
3.8  
-9.5  
-12.0  
115  
2
2
85  
100  
Thermal Resistance  
°C/W  
34.0  
Stability  
Unconditionally Stable  
Notes: 1. Tested on Celeritek connectorized evaluation board.  
2. Measured on wafer.  
Absolute Maximum Ratings1  
Die Attach and Bonding Procedures  
Parameter  
Rating  
Die Attach: Eutectic die attach is recommended. For eutec-  
tic die attach: Preform: AuSn (80% Au, 20% Sn); Stage  
Temperature: 290°C, 5°C; Handling Tool: Tweezers; Time: 1  
min or less.  
Drain Voltage  
Drain Current  
4.5V (min.) / 8.0V (max.)  
150 mA  
Continuous Power Dissipation  
Input Power  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
Operating Backside Temperature 2  
1.2 W  
10 dBm  
-50°C to +150°C  
175°C  
Wire Bonding: Wire Size: 0.7 to 1.0 mil in diameter (pre-  
stressed); Thermocompression bonding is preferred over ther-  
mosonic bonding. For thermocompression bonding: Stage  
Temperature: 250°C; Bond Tip Temperature: 150°C; Bonding  
Tip Pressure: 18 to 40 gms depending on size of wire.  
-40°C Min.  
Notes: 1. Operation outside these limits can cause permanent damage.  
2. Calculation maximum operating temperature:  
Tmax = 175–(Pdis [W] x 34) [°C].  
Page 1 of 5  
Mimix Broadband, Inc., 10795 Rockley Rd., Houston,Texas 77099  
Tel: 281.988.4600 Fax: 281.988.4615 mimixbroadband.com  
Characteristic Data and Specifications are subject to change without notice. ©2007 Mimix Broadband, Inc.  
Export of this item may require appropriate export licensing from the U.S. Government. In purchasing these parts, U.S. Domestic customers accept  
their obligation to be compliant with U.S. Export Laws.  
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