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CMLDM7120 PDF预览

CMLDM7120

更新时间： 2024-11-11 19:59:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 127K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6

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CMLDM7120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CMLDM7120 数据手册

 浏览型号CMLDM7120的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLDM7120  
Central  
Semiconductor Corp.  
TM  
SURFACE MOUNT PICOmini  
N-CHANNEL  
DESCRIPTION:  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7120 is an  
Enhancement-mode N-Channel Field Effect Transistor,  
manufactured by the N-Channel DMOS Process,  
designed for high speed pulsed amplifier and driver  
applications. This MOSFET offers Low r  
Low Threshold Voltage.  
and  
DS(ON)  
MARKING CODE: C71  
SOT-563 CASE  
FEATURES:  
Device is RoHS compliant  
•
•
•
ESD protection up to 2kV  
APPLICATIONS:  
Load/Power switches  
Power supply converter circuits  
Battery powered portable equipment  
Low r  
(0.25Ω MAX @ V =1.5V)  
DS(ON)  
GS  
•
•
•
High current (I =1.0A)  
D
•
•
Logic level compatibility  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
A
mW  
mW  
mW  
°C  
A
Drain-Source Voltage  
V
V
20  
8.0  
1.0  
4.0  
350  
300  
150  
DS  
GS  
D
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current (tp=10μs)  
Power Dissipation (Note 1)  
Power Dissipation (Note 2)  
Power Dissipation (Note 3)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
I
I
DM  
P
P
P
D
D
D
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
μA  
μA  
μA  
V
V
V
Ω
Ω
Ω
S
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=8.0V, V =0V  
10  
10  
10  
GSSF  
GSSR  
DSS  
DSS  
GS(th)  
SD  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
GS  
DS  
GS  
DS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
=8.0V, V =0V  
DS  
=20V, V =0V  
GS  
BV  
V
V
r
r
r
=0V, I =250μA  
20  
0.5  
D
D
S
=10V, I =1.0mA  
1.2  
1.1  
0.10  
0.14  
0.25  
=0V, I =1.0A  
=4.5V, I =0.5A  
0.075  
0.10  
0.17  
4.2  
45  
220  
120  
D
=2.5V, I =0.5A  
D
=1.5V, I =0.1A  
D
g
=10V, I =0.5A  
D
fs  
C
C
C
=10V, V =0, f=1.0MHz  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
pF  
pF  
pF  
rss  
iss  
GS  
GS  
GS  
oss  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm2  
R0 (7-February 2008)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLDM7120BK CENTRAL

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
CMLDM7120G CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMLDM7120GBK CENTRAL

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 		暂无描述
CMLDM7120GBKLEADFREE CENTRAL

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
CMLDM7120GPBFREE CENTRAL

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CMLDM7120GTR CENTRAL

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CMLDM7120TG CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMLDM7120TG#N/A CENTRAL

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMLDM7120TGBK CENTRAL

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