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CMLDM7003TEG PDF预览

CMLDM7003TEG

更新时间： 2024-11-23 20:10:47
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 113K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6

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CMLDM7003TEG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：0.28 A最大漏源导通电阻：2.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CMLDM7003TEG 数据手册

 浏览型号CMLDM7003TEG的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLDM7003TEG  
Central  
Semiconductor Corp.  
ENHANCED SPECIFICATION  
TM  
SURFACE MOUNT PICOmini  
DESCRIPTION:  
DUAL N-CHANNEL  
SILICON MOSFET  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003TEG  
is an Enhancement-mode N-Channel Field Effect  
Transistor, manufactured by the N-Channel DMOS  
Process, designed for high speed pulsed amplifier and  
driver applications. These special Dual Transistor devices  
offer low drain-source on state resistance (r  
) and  
DS(ON)  
ESD protection up to 2kV, and a Gate-Source Threshold  
Voltage (V ) of 0.75V MIN to 1.0V MAX.  
GS(th)  
MARKING CODE: TEG  
SOT-563 CASE  
FEATURES:  
ENHANCED SPECIFICATION: V  
= 1.0V MAX  
GS(th)  
ESD protection up to 2kV  
•
Device is Halogen Free by design  
•
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Drain-Source Voltage  
V
50  
50  
DS  
DG  
GS  
Drain-Gate Voltage  
V
V
V
Gate-Source Voltage  
12  
V
Continuous Drain Current  
Maximum Pulsed Drain Current  
Power Dissipation (Note 1)  
Power Dissipation (Note 2)  
Power Dissipation (Note 3)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
I
280  
mA  
A
D
I
1.5  
DM  
P
P
P
350  
mW  
mW  
mW  
°C  
D
D
D
300  
150  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
I
I
I
I
I
V
V
V
V
=5V  
50  
GSSF, GSSR  
GS  
GS  
GS  
DS  
I
=10V  
=12V  
0.5  
1.0  
50  
μA  
GSSF, GSSR  
I
μA  
GSSF, GSSR  
=50V, V =0V  
GS  
nA  
DSS  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm2  
R0 (3-June 2008)  
12

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与CMLDM7003TEG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMLDM7003TEGTR CENTRAL

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
CMLDM7003TG CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CMLDM7003TG#N/A CENTRAL

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
CMLDM7003TGBK CENTRAL

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
CMLDM7003TGBKLEADFREE CENTRAL

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