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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CMLDM7003GTRPBFREE
CMLDM7003GTRPBFREE PDF预览

CMLDM7003GTRPBFREE

更新时间： 2024-11-19 13:06:55
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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CMLDM7003GTRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.76最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.28 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

CMLDM7003GTRPBFREE 数据手册

 浏览型号CMLDM7003GTRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMLDM7003  
CMLDM7003J  
SURFACE MOUNT PICOminiTM  
DUAL N-CHANNEL  
Central  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003 and  
CMLDM7003J are Enhancement-mode N-Channel Field  
Effect Transistors, manufactured by the N-Channel  
DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier  
and driver applications. The CMLDM7003 utilizes the  
USA pinout configuration, while the CMLDM7003J utilizes  
the Japanese pinout configuration. These special Dual  
Transistor devices offer low drain-source on state  
resistance (r  
).  
DS(ON)  
SOT-563 CASE  
MARKING CODE: CMLDM7003:  
CMLDM7003J:  
C30  
C3J  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Drain-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Maximum Pulsed Drain Current  
Power Dissipation  
V
V
V
50  
50  
40  
300  
1.2  
350  
300  
150  
V
V
V
mA  
DS  
DG  
GS  
I
D
I
P
A
DM  
mW (Note 1)  
mW (Note 2)  
mW (Note 3)  
D
Power Dissipation  
Power Dissipation  
P
D
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
50  
500  
1.0  
50  
UNITS  
nA  
nA  
µA  
nA  
V
V
Ω
Ω
Ω
mmhos  
pF  
pF  
pF  
V
I
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=5V  
=10V  
=12V  
GSSF, GSSR  
GS  
GS  
GS  
DS  
GS  
GSSF, GSSR  
GSSF, GSSR  
=50V, V =0V  
DSS  
GS  
BV  
V
r
r
r
=0V, I =10µA  
D
50  
0.5  
DSS  
=V , I =250µA  
1.2  
2.3  
1.9  
1.5  
GS(th)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS GS D  
=1.8V, I =50mA  
D
1.6  
1.3  
1.1  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
GS  
=2.5V, I =50mA  
D
=5.0V, I =50mA  
D
=10V, I =200mA  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
=25V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=0V, I =115mA  
g
200  
FS  
D
C
C
C
V
TBD  
TBD  
TBD  
1.4  
rss  
iss  
oss  
GS  
SD  
S
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm2  
R0 (26-June 2006)  
12

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