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CM600E2Y-34H

更新时间: 2024-10-15 18:09:27
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 166K
描述
HVIGBT模块 / HVIPM H系列 CM600E2Y-34H

CM600E2Y-34H 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数:7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.22
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):600 A集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7元件数量:1
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):6200 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:3.58 VBase Number Matches:1

CM600E2Y-34H 数据手册

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MITSUBISHI HVIGBT MODULES  
CM600E2Y-34H  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules  
CM600E2Y-34H  
IC...................................................................600A  
VCES ....................................................... 1700V  
Insulated Type  
1-elements in a pack (for brake)  
APPLICATION  
DC choppers, Dynamic braking choppers.  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
130  
114  
4 - M8 NUTS  
57±0.25  
57±0.25  
E1  
C2  
E1  
G1  
C2  
E1  
C1  
C1  
E2  
CM  
E1  
C1  
E2  
CIRCUIT DIAGRAM  
E2  
C1  
C2  
G2  
G1  
16  
6 - φ 7 MOUNTING HOLES  
3 - M4 NUTS  
40  
53  
5
55.2  
35  
11.85  
11.5  
14  
LABEL  
HVIGBT MODULES (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor Modules)  
Mar. 2003  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CM600E2Y-34H_03 MITSUBISHI

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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 50A I(C)