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CM600DY-34H

更新时间: 2024-10-15 18:09:31
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 166K
描述
HVIGBT模块 / HVIPM H系列 CM600DY-34H

CM600DY-34H 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.22
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):600 A
集电极-发射极最大电压:1700 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X10
元件数量:2端子数量:10
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):6200 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:3.58 V
Base Number Matches:1

CM600DY-34H 数据手册

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MITSUBISHI HVIGBT MODULES  
CM600DY-34H  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules  
CM600DY-34H  
IC...................................................................600A  
VCES ....................................................... 1700V  
Insulated Type  
2-elements in a pack  
APPLICATION  
Inverters, Converters, DC choppers, Induction heating, DC to DC converters.  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
130  
114  
4 - M8 NUTS  
57±0.25  
57±0.25  
C2  
E1  
C2  
E1  
G1  
G2  
E2  
C2  
E1  
C1  
C1  
E2  
CM  
E1  
C1  
E2  
E2  
CIRCUIT DIAGRAM  
C1  
C2  
G1  
G2  
16  
18  
6 - φ 7 MOUNTING HOLES  
40  
53  
44  
57  
6 - M4 NUTS  
5
55.2  
35  
11.85  
11.5  
14  
LABEL  
HVIGBT MODULES (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor Modules)  
Mar. 2003  

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