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CM50MX-24A

更新时间： 2024-11-18 06:48:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 216K
描述
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

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CM50MX-24A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：MODULE包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
针数：35Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.24Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X35
元件数量：7端子数量：35
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：355 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：2.6 V
Base Number Matches：1

CM50MX-24A 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM50MX-24A  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM50MX-24A  
¡IC ..................................................................... 50A  
¡VCES ......................................................... 1200V  
¡CIB (3-phase Converter +  
3-phase Inverter + Brake)  
¡Flatbase Type / Insulated Package /  
Copper base plate  
¡RoHS Directive compliant  
APPLICATION  
General purpose Inverters, Servo Amplifiers  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
121.7  
(7.4)  
1.2  
＊118.1  
0.5  
110  
99  
94.5  
20.5  
17  
13  
4-φ5.5 MOUNTING HOLES  
TERMINAL t = 0.8  
7
＊4.2  
φ4.3  
φ2.5  
φ2.1  
3.75  
0
53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31  
0
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
＊11.66  
＊15.48  
＊15.48  
＊19.28  
＊23.1  
＊26.9  
＊30.72  
＊34.52  
＊34.52  
＊38.34  
SECTION A  
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22  
(3)  
A
＊Pin positions  
with tolerance  
φ0.5  
0.8  
0.8  
L A B E L  
Tolerance otherwise specified  
TH1(29)  
P(52~53) P1(54~55)  
Division of Dimension  
Tolerance  
GuP(49)  
EuP(48)  
GvP(44)  
GwP(39)  
0.5 to  
3
6
0.2  
0.3  
0.5  
0.8  
1.2  
TH2(28)  
over  
over  
3
6
to  
to  
EvP(43)  
EwP(38)  
V(17~18)  
30  
U(13~14)  
W(21~22)  
B(24~25)  
R(1~2) S(5~6) T(9~10)  
over 30 to 120  
over 120 to 400  
GB(35)  
N(57~58) N1(60~61)  
GuN(34)  
GvN(33)  
GwN(32)  
E(31)  
* Use both terminals (R/S/T/P/N/P1/B/N1/U/V/W) to the external connection.  
CIRCUIT DIAGRAM  
Jan. 2009  
12345678

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与CM50MX-24A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CM50MX-24A_12 MITSUBISHI

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 		HIGH POWER SWITCHING USE
CM50MXA-24S MITSUBISHI

获取价格

 		HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM50MXA-24S POWEREX

获取价格

 		Low Drive Power Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode
CM50MXUA-24T MITSUBISHI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
CM50MXUA-24T1 MITSUBISHI

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