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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN THREE PHASE DIODE BRIDGE, IGBT, RESISTOR AND THERMISTOR |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | JESD-30 代码： | R-XUFM-X26 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 26 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 78.5 A |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM50AD05-12H | POWEREX |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
|
| CM50AD05-12H | MITSUBISHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
|
| CM50BU24H | POWEREX |
获取价格 |
Four IGBTMOD U-Series Module 50 Amperes/1200 Volts |
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| CM50BU-24H | POWEREX |
获取价格 |
Four IGBTMOD⑩ U-Series Module 50 Amperes/1200 |
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| CM50C1-6.000MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN |
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| CM50C1-6.999MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 6.999MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN |
|
| CM50DU-24F | POWEREX |
获取价格 |
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 50 Amperes/1 |
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| CM50DU-24F | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM50DU-24H | MITSUBISHI |
获取价格 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM50DU-24H | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD⑩ U-Series Module 50 Amperes/1200 |
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