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CM400DY-12NF

更新时间: 2024-11-18 02:51:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

CM400DY-12NF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数:7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:1.54
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):400 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1130 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.2 VBase Number Matches:1

CM400DY-12NF 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM400DY-12NF  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM400DY-12NF  
¡IC ...................................................................400A  
¡VCES ............................................................600V  
¡Insulated Type  
¡2-elements in a pack  
APPLICATION  
General purpose inverters & Servo controls, etc  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
Tc measured point (Base plate)  
108  
93±0.25  
4
3-M6 NUTS  
G2  
E2  
E1  
C2E1  
E2  
C1  
G1  
21.5  
25  
25  
7
24  
4-φ6.5 MOUNTING HOLES  
18  
14  
18  
14  
18  
14  
TAB #110 t=0.5  
C2E1  
7
E2  
C1  
LABEL  
CIRCUIT DIAGRAM  
Jul.2004  

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