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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM35MSSIW | PANDUIT |
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Mini-Com® RCA Pass-Through Modules |
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| CM35MX-24A | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM35MXA-24S | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM35MXA-24S | POWEREX |
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Low Drive Power Low VCE(sat) Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode |
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| CM35MXA-24S_13 | POWEREX |
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Low Drive Power Low VCE(sat) Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode |
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| CM35MXUA-24T | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| CM35MXUA-24T1 | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| CM35MXUAP-24T | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| CM35MXUAP-24T1 | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| CM3626 | CML |
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T-1 1/2 Wedge Base |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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