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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 其他特性： | SUPER FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1500 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 300 ns | 标称接通时间 (ton)： | 250 ns |
| VCEsat-Max： | 3.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM200DY-24NF | MITSUBISHI |
获取价格 |
MITSUBISHI IGBT MODULES |
|
| CM200DY-24NF | POWEREX |
获取价格 |
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⢠|
|
| CM200DY-24NF_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM200DY-24T | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 T系列 CM200DY-24T |
|
| CM200DY-24TH | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 TH系列 CM200DY-24TH |
|
| CM200DY-28H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM200DY-28H | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD 200 Amperes/1400 Volts |
|
| CM200DY-34A | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING US |
|
| CM200DY-34A | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD A-Series Module 200 Amperes/1700 Volts |
|
| CM200DY-34A_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
|
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