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三菱 - MITSUBISHI | 双极性晶体管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
11页 | 563K | |
描述 | ||
IGBT模块 S系列 CM200DX-24S |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数: | 11 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.64 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | UL RECOGNIZED | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 200 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X7 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 7 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1500 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
VCEsat-Max: | 2.25 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CM200DX-34SA | POWEREX |
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Dual IGBT NX-Series Module 200 Amperes/1700 Volts | |
CM200DX-34SA | MITSUBISHI |
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IGBT模块 S系列 CM200DX-34SA | |
CM200DY12E | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | |
CM200DY12H | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | |
CM200DY-12H | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
CM200DY-12H | POWEREX |
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Dual IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts | |
CM200DY-12NF | POWEREX |
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Dual IGBTMOD NF-Series Module 200 Amperes/600 Volts | |
CM200DY-12NF | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM200DY-12NF_09 | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM200DY-13T | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T系列 CM200DY-13T |