Datasheet > CM20-12A

CM20-12A

更新时间： 2024-01-18 16:33:20

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CM20-12A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
最大集电极电流 (IC)：	4.8 A	基于收集器的最大容量：	85 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	Single
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CXFM-F6
端子数量：	6	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	67 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CM20-12A 数据手册

CM20-12A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI CM20-12A is Designed for

Class C, FM Land Mobile Applications

up to 470 MHz.

PACKAGE STYLE .500 6L FLG

FEATURES:

• Internal Input Matching Network

• P_G= 6.2 dB at 20 W/470 MHz

• Omnigold™ Metalization System

• Common Emitter Configuration

2x ØN

FULL R

.725/18,42

MAXIMUM RATINGS

4.8 A

36 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.150 / 3.43

.160 / 4.06

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.045 / 1.14

.210 / 5.33

.835 / 21.21

.200 / 5.08

.490 / 12.45

.003 / 0.08

.220 / 5.59

.865 / 21.97

.210 / 5.33

.510 / 12.95

.007 / 0.18

16 V

4.0 V

.125 / 3.18

70 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

2.5 °C/W

.725 / 18.42

.970 / 24.64

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.980 / 24.89

.105 / 2.67

.170 / 4.32

.285 / 7.24

.135 / 3.43

T_STG

θ_JC

.120 / 3.05

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_C= 10 mA

I_E= 5.0 mA

BV_CES

BV_EBO

I_CES

4.0

_CE= 12.5 V

_CE= 5.0 V

5.0

---

I_C= 1.0 A

150

h_FE

_CB= 12.5 V

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

C_OB

6.2

P_G

V_CC= 12.5 V

P_OUT= 20 W

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

1/1

中文翻译

下载PDF

与CM20-12A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM2012F100MB	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0805, CHIP, 2012
CM2012F100ME	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2012, CHIP, 2012, ROHS
CM2012F100MT	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 10uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2012, CHIP, 2012, ROHS
CM2012F120KB	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0805, CHIP, 2012
CM2012F120KE	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2012, CHIP, 2012, ROHS
CM2012F120MB	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 0805, CHIP, 2012
CM2012F120ME	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2012, CHIP, 2012, ROHS
CM2012F120MT	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 12uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2012, CHIP, 2012, ROHS
CM2012F150KE	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 15uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2012, CHIP, 2012, ROHS
CM2012F150KT	SAMWHA	获取价格	General Purpose Inductor, 15uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2012, CHIP, 2012, ROHS

与CM20-12A相关文章

解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
2024-08-20

16
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

79
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

140
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

188

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CM20-12A

CM20-12A 技术参数

CM20-12A 数据手册

与CM20-12A相关器件

与CM20-12A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CM20-12A

CM20-12A 技术参数

CM20-12A 数据手册

与CM20-12A相关器件

与CM20-12A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？