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CM150MXUDP-13T1

更新时间: 2024-06-27 12:07:46
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三菱 - MITSUBISHI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
21页 2004K
描述
IGBT模块 T1系列 CM150MXUDP-13T1

CM150MXUDP-13T1 数据手册

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<IGBT Modules>  
CM150MXUD-13T1/CM150MXUDP-13T1  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
Collector current IC .............…..................…  
A
1 5 0  
Collector-emitter voltage VCES .................. 6 5 0 V  
Maximum junction temperature Tvj max .........  
●Flat base type  
°C  
1 7 5  
MXUD  
●Copper base plate (Nickel-plating)  
●RoHS Directive compliant  
●Tin-plating pin terminals  
Collector current IC .............…..................… 1 5 0 A  
Collector-emitter voltage VCES ..................  
V
6 5 0  
Maximum junction temperature Tvj max ......... 1 7 5 °C  
●Flat base type  
MXUDP  
●Copper base plate (Nickel-plating)  
●RoHS Directive compliant  
●Tin-plating pressfit terminals  
CIB (Converter+Inverter+Chopper Brake)  
●UL Recognized under UL1557, File No. E323585  
APPLICATION  
AC Motor Control, Motion/Servo Control, Power supply, etc.  
OPTION (Below options are available.)  
●PC-TIM (Phase Change Thermal Interface Material) pre-apply  
INTERNAL CONNECTION  
Terminal code  
R
R
R
S
16 V  
31 N1  
32 N1  
33 P1  
34 P1  
35 P1  
36 B  
1
17 V  
2
18 GwP  
19 W  
3
TH1(22)  
TH2(23)  
P(38,39,40)  
P1(33,34,35)  
4
GuP(10)  
GvP(14)  
GwP(18)  
S
20 W  
5
S
21 W  
6
T
22 TH1  
23 TH2  
24 GwN  
25 E  
37 B  
7
T
38 P  
8
B(36,37)  
GuN(28)  
U(11,12,13)  
GvN(26)  
V(15,16,17)  
GwN(24)  
W(19,20,21)  
T
39 P  
9
R(1,2,3)  
S(4,5,6)  
T(7,8,9)  
GuP  
U
U
40 P  
10  
11  
12  
GB(29)  
26 GvN  
41 N  
27 E1  
42 N  
43 N  
N(41,42,43) N1(30,31,32)  
E(25)  
13 U  
28 GuN  
29 GB  
30 N1  
14 GvP  
15 V  
E1(27)  
Publication Date: June 2022  
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