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三菱 - MITSUBISHI | ![]() |
双极性晶体管 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
11页 | 676K | ![]() |
描述 | ||
IGBT模块 S系列 CM150EXS-24S |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.72 | 最大集电极电流 (IC): | 150 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs): | 1150 W |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 端子面层: | Tin (Sn) |
VCEsat-Max: | 2.25 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CM150MXUD-13T | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T系列 CM150MXUD-13T |
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CM150MXUD-13T1 | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T1系列 CM150MXUD-13T1 |
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CM150MXUD-24T | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T系列 CM150MXUD-24T |
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CM150MXUD-24T1 | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T1系列 CM150MXUD-24T1 |
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CM150MXUDP-13T | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T系列 CM150MXUDP-13T |
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CM150MXUDP-13T1 | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T1系列 CM150MXUDP-13T1 |
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CM150MXUDP-24T | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T系列 CM150MXUDP-24T |
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CM150MXUDP-24T1 | MITSUBISHI |
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IGBT模块 T1系列 CM150MXUDP-24T1 |
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CM150N03 | JINGDAO |
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TO-220 |
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CM150N03C | JINGDAO |
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TO-251S/252S |
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