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CM150E3U-12F

更新时间： 2024-10-30 20:10:15

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	80K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

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CM150E3U-12F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RTC
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	520 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM150E3U-12F

HIGH POWER SWITCHING USE

CM150E3U-12F

¡IC ...................................................................150A

¡VCES ............................................................600V

¡Insulated Type

¡1-element in a pack

APPLICATION

Brake

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

Tc measured point

0.25

2–φ6.5 MOUNTING HOLES

C 1

E 2

C2 E1

13.5

1MAX

3–M5 NUTS

12mm deep

TAB #110. t=0.5

2.5

RTC

C2E1

LABEL

CIRCUIT DIAGRAM

Mar.2002

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM150E3U-12H	POWEREX	获取价格	Chopper IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts
CM150E3U-12H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-12H_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-24F	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE
CM150E3U-24H	POWEREX	获取价格	Chopper IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts
CM150E3U-24H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3U-24H_09	MITSUBISHI	获取价格	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM150E3Y12E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 150A I(C)
CM150E3Y-12E	MITSUBISHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
CM150E3Y24E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 150A I(C)