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CM11N50???

更新时间: 2024-11-07 15:19:31
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晶导 - JINGDAO /
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11页 876K
描述
TO-220

CM11N50??? 数据手册

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R
CM11N50  
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
POWER MOSFET  
1、主要参数 Main Characteristics  
2、用途 Applications  
VDSS  
ID  
500  
11  
V
A
高频开关电源 High frequency switching mode  
power supply  
PD  
120  
W
RDSONTYP  
0.51  
Ω
电子镇流器 Electronic ballast  
UPS 电源 Uninterruptible Power Supply  
PFC 功率因数校正 Power Factor Correction  
大功率开关电源 High power switching power supply  
电焊机控制 Control of electric welding machine  
TO-220  
3、产品特性 Features  
低栅极电荷 Low gate charge  
1
2
Crss (典型值 17pF) Low Crss (typical 17pF )  
开关速度快 Fast switching speed  
3
1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)  
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested  
高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability  
RoHS 产品 RoHS product  
4电特性 Electrical Characteristics  
4.1极限值 Absolute Ratings (TC = 25)  
参 数 名 称 Parameter  
漏极-源极电压  
符号 Symbol  
VDSS  
ID  
额定值 Value  
单位 Unit  
500  
V
A
Drain-Source Voltage  
TC = 25 °C  
11  
连续漏极电流  
Drain Current -continuous  
最大脉冲漏极电流(注 1)  
Drain Current - pulsenote 1)  
栅源电压  
TC = 100 °C  
9
IDM  
44  
±30  
600  
4.0  
A
VGS  
EAS  
V
Gate-Source Voltage  
单脉冲雪崩能量(注 2)  
Single Pulsed Avalanche Energynote 2)  
雪崩电流(注 1)  
mJ  
A
IAR  
Avalanche Currentnote 1)  
重复雪崩能量(注 1)  
EAR  
80  
mJ  
V/ns  
W
Repetitive Avalanche Energy note 1)  
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3)  
Peak Diode Recovery dv/dtnote 3)  
耗散功率  
dv/dt  
PD  
5.0  
120  
Power Dissipation  
结温,贮存温度  
TjTstg  
150-55150  
Operating and Storage Temperature Range  
地址:深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 1-3 层  
电话:0755-29799516  
传真:0755-29799515  
1 V04 版  

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