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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM100E3Y-12E | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| CM100E3Y24E | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| CM100F | COOPER |
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Circuit Protection Solutions Low Voltage Fuse Links Catalogue |
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| CM100MUDP-13T1 | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| CM100MX-12A | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM100MX-12A | POWEREX |
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NX-Series CIB Module |
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| CM100MXA-24S | POWEREX |
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NX-Series CIB Module 100 Amperes/1200 Volts |
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| CM100MXA-24S | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM100MXUB-13T | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| CM100MXUB-13T1 | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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