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CLVTH32373IGKEREP

更新时间： 2024-11-18 12:50:35

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德州仪器 - TI		总线驱动器总线收发器锁存器逻辑集成电路输出元件信息通信管理
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3.3-V ABT 32-BIT TRANSPARENT D-TYPE LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS

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CLVTH32373IGKEREP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA-96
针数：	96	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	系列：	LVT
JESD-30 代码：	R-PBGA-B96	JESD-609代码：	e0
长度：	13.5 mm	逻辑集成电路类型：	BUS DRIVER
湿度敏感等级：	3	位数：	8
功能数量：	4	端口数量：	2
端子数量：	96	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出特性：	3-STATE
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	220
传播延迟（tpd）：	4.8 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	BICMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	5.5 mm	Base Number Matches：	1

CLVTH32373IGKEREP 数据手册

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SCBS794 − DECEMBER 2003

Controlled Baseline

− One Assembly/Test Site, One Fabrication

Site

Typical V

<0.8 V at V

(Output Ground Bounce)

OLP

= 3.3 V, T = 25°C

CC A

and Power-Up 3-State Support Hot

off

Enhanced Diminishing Manufacturing

Sources (DMS) Support

Insertion

Supports Mixed-Mode Signal Operation

(5-V Input and Output Voltages With

Enhanced Product-Change Notification

3.3-V V

)

†

Qualification Pedigree

Bus Hold on Data Inputs Eliminates the

Need for External Pullup/Pulldown

Resistors

Member of the Texas Instruments

Widebus+ Family

State-of-the-Art Advanced BiCMOS

Technology (ABT) Design for 3.3-V

Operation and Low Static-Power

Dissipation

Supports Unregulated Battery Operation

Down To 2.7 V

Latch-Up Performance Exceeds 500 mA Per

JESD 17

†

Component qualification in accordance with JEDEC and industry

standards to ensure reliable operation over an extended

temperature range. This includes, but is not limited to, Highly

Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature

cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond

intermetallic life, and mold compound life. Such qualification

testing should not be viewed as justifying use of this component

beyond specified performance and environmental limits.

ESD Protection Exceeds JESD 22

− 2000-V Human-Body Model (A114-A)

− 200-V Machine Model (A115-A)

− 1000-V Charged-Device Model (C101)

GKE PACKAGE

(TOP VIEW)

terminal assignments

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Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of

Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

Widebus+ is a trademark of Texas Instruments.

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POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265

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CLVTH32373IGKEREP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SN74LVTH32373ZKER	TI	完全替代	3.3-V ABT 32-BIT TRANSPARENT D-TYPE LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS
SN74LVTH32373GKER	TI	类似代替	3.3-V ABT 32-BIT TRANSPARENT D-TYPE LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS

与CLVTH32373IGKEREP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CLVTH32374IGKEREP	TI	获取价格	3.3-V ABT 32-BIT EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS
CLX04P007L12	ETC	获取价格	Super Capacitors To Improve Power Performance.
CLX2	RADIOMETRIX	获取价格	19200 baud modem transceiver
CLX27	INFINEON	获取价格	HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
CLX27-00	INFINEON	获取价格	HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
CLX27-00H	INFINEON	获取价格	暂无描述
CLX27-00P	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLX27-05	INFINEON	获取价格	HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
CLX27-05ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M
CLX27-05H	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M

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